晶振都會有他相對應(yīng)的規(guī)格參數(shù)，負(fù)載電容、額定頻率范圍、頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)）、工作溫度、儲存溫度、激勵功率等。本文兆現(xiàn)電子將對負(fù)載電容這一參數(shù)做出明確的解釋。我們平時跟客戶溝通的時候經(jīng)常會問他們所需求晶振的負(fù)載電容是多少，然而可能連我們自己都不是很明白負(fù)載電容究竟是什么？那么這個負(fù)載電容對于石英晶振究竟具有什么樣的含義呢？
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)?strong>石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振；另一個為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負(fù)載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高。

負(fù)載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
晶振的負(fù)載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶向我們詢問晶振時我們都會問他們所需晶振的負(fù)載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋?zhàn)饔茫拐袷幤魅菀灼鹫瘛?a href="http://www.jammira.com/SEIKOCrystal/" target="_blank">

晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差，關(guān)于負(fù)載電容的計算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。
計算公式：晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內(nèi)部電容）+△C（PCB上電容）一般為3至5pf。

項(xiàng)目	符號	精工晶振SSP-T7-F規(guī)格說明	條件
公稱周波數(shù)	f_nom	32.768kHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
儲存溫度范圍	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
工作溫度范圍	T_use	-40°C to +85°C
激勵功率	DL	0.1μW (1.0μW Max.)	如果你有最大激勵功率為1.0μW 的需求,請聯(lián)系我們.
周波數(shù)容許偏差（標(biāo)準(zhǔn)）	f_tol	±20 × 10^-6, ±50 × 10^-6	+25°C,DL=0.1μW 如需更嚴(yán)格的公差,聯(lián)系我們
頂點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
頻率溫度系數(shù)	B	(-0.035±0.01) × 10^-6/ °C² Max.
負(fù)載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	65kΩ Max.
分路電容	C₀	0.8pF Typ.
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

正在載入評論數(shù)據(jù)...

上一篇：NDK推出面向移動通信領(lǐng)域的高穩(wěn)定溫補(bǔ)晶振

下一篇：SAW濾波器的組成特點(diǎn)及工作原理

此文關(guān)鍵字：晶振石英晶振晶體元件負(fù)載電容

歡迎光臨：壹兆電子有限公司

資訊中心

企業(yè)博客

深入解析晶振負(fù)載電容

相關(guān)資訊

壹兆客服

姓名：
郵箱：
正文：